我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。近年来，我国在氧化镓的制备上连续取得突破性...
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